近日，IEEE通过网路在线向国际电气与电子工程学会终身会员胡正明教授颁发了2020年度IEEE荣誉勋章，表彰他对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。特别是发明了使摩尔定律得以延续数十年的3D结构器件。

 IEEE荣誉勋章评审委员会称：摩尔定律推动了半导体行业的惊人发展，从而改变了世界。但是很明显，器件极限将终结器件尺寸的不断缩小。胡正明革命性的3D晶体管结构FinFET克服了这些极限障碍，取代了在过去的五十年中一直在工业上使用的CMOS晶体管。他的用于电路设计的BSIM晶体管模型已成为行业标准，并且他的BERT可靠性仿真工具具有非常先进的器件和电路可靠性。

     自 1976 年以来，胡正明教授一直担任加州大学伯克利分校的工程学教授，他还是半导体制造商 Ambarella 和 Inphi 的董事会成员。1997年当选为美国工程科学院院士 ，从 2001 年到 2004 年，他担任位于新竹的全球最大 IC制造公司台湾半导体制造公司的首席技术官；他还是美国思略科技公司（Celestry Design Technologies）的创始主席、半导体行业分析程序的创建者。2009 年，胡正明教授被授予 IEEE 西泽润一奖，以表彰他对生产体积更小、更可靠、性能更高的集成电路所做出的至关重要的成就；2015年12月获得美国国家技术和创新奖。2016年5月19日，美国总统奥巴马在白宫为胡正明颁发美国国家科学奖章。

     胡正明教授在多个场合表示，集成电路产业可再成长100 年,芯片功耗还可降低 1000 倍。线宽的微缩总是有一个极限的，到了某种程度，就没有经济效应驱动人们把这条路径继续走下去。